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PSMN9R5-100BS,118  与  IPB123N10N3 G  区别

型号 PSMN9R5-100BS,118 IPB123N10N3 G
唯样编号 A3t-PSMN9R5-100BS,118 A-IPB123N10N3 G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
上升时间 - 8ns
Qg-栅极电荷 - 35nC
栅极电压Vgs 3V 20V
正向跨导 - 最小值 - 29S
封装/外壳 SOT404 PG-TO263-3
工作温度 175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 89A 58A
配置 - Single
输入电容 4454pF -
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
下降时间 - 5ns
导通电阻Rds(On) 9.6mΩ@10V 10.7mΩ
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2500pF @ 50V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 46µA
高度 - 4.4mm
功率耗散Pd 211W 94W
漏源极电压Vds 100V 100V
输出电容 302pF -
典型关闭延迟时间 - 24ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
典型接通延迟时间 - 14ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN9R5-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 9.6mΩ@10V 211W 175°C 3V 100V 89A

暂无价格 0 当前型号
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±20V 312W(Tc) 10.5m Ohms@60A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A

暂无价格 0 对比
IRFS4410PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@58A,10V N-Channel 100V 96A D2PAK

暂无价格 0 对比
AOB288L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 80V 20V 46A 93.5W 8.9mΩ@20A,10V

¥2.98 

阶梯数 价格
800: ¥2.98
0 对比
IRFS4410TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@58A,10V N-Channel 100V 96A D²PAK(TO-263AB)

暂无价格 0 对比
IPB123N10N3 G Infineon 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 100V 58A 10.7mΩ 20V 94W N-Channel PG-TO263-3

暂无价格 0 对比

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